SI4202DY-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI4202DY-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2500+ | $0.644 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 8A, 10V |
Leistung - max | 3.7W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | SI4202DY-T1-GE3TR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12.1A 3.7W Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12.1A |
SI4202DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4202DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
BOARD EVAL FOR SI4205
MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
VISHAY SOP8
IC RF TXRX CELLULAR 32LFLGA
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
IC RF TXRX CELLULAR 20VFQFN
MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
IC RF TXRX CELLULAR 20VFQFN
VISHAY SOP-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4202DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Zielpreis (USD)
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